| 项目 | TM4000PlusII | |
|---|---|---|
| 倍率 | ×10～×100,000（照片倍率） ×25～×250,000（显示器倍率） | |
| 加速电压 | 5 kV、10 kV、15 kV、20 kV | |
| 图像信号 | 背散射电子 二次电子 复合图像（背散射电子+二次电子） | |
| 真空模式 | 导电体（仅背散射电子） 标准 荷电减轻 | |
| 样品可移动范围 | X：40 mm Y：35 mm | |
| 最大样品尺寸 | 80 mm（直径） 50 mm（厚度） | |
| 电子枪 | 预对中钨灯丝电子枪 | |
| 检测器 | 背散射电子：高感度4分割 背散电子检测器 二次电子：高感度低真空 二次电子检测器 | |
| 排气系统（真空泵） | 涡轮分子泵：67 L/s 1台 隔膜泵：20 L/min | |
| 尺寸与重量 | 主体：330（宽度）×614（进深）×547（高度） mm、54 kg（附带马达驱动的样品台） 主体：330（宽度）×617（进深）×547（高度） mm、54 kg（附带手动样品台） 隔膜泵：144（宽度）×270（进深）×216（高度） mm | |
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可快速观察图像，并导出测试报告。.
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对于容易产生荷电的样品，可使用“荷电减轻模式”，在抑制荷电的状态下进行观察。
只需用鼠标在软件上点击即可切换到“荷电减轻模式”。
对于容易产生荷电的粉末或含水等样品，可结合其目的进行观察。
不仅是观察传统的导电性样品，还可以在无预处理的条件下观察绝缘物和含水、含油样品。可快速进行二次电子像与背散射电子像之间的切换。
采用高感度低真空二次电子检测器(UVD)。通过检测由于电子线与残留气体分子之间的碰撞而产生的光，可以观察带有二次电子信息的图像。此外，通过控制该检测器，来检测电子照射所产生的光，可以获得CL信息（UVD-CL：带有CL信息的图像）。
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